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硅晶圓切割是半導體芯片封裝的常用加工工藝。激光切割的關鍵指標要求是高速和窄切割線。高頻、高能量的紅外脈沖光纖激光適用于這樣的應用。
晶圓的厚度一般不超過250um，激光切割深度一般為晶圓厚度的1/3。
裂片通常是激光切割后的標準必要步驟。
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